IPG20N06S2L-50 MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
数据表
1,491库存量
5,000在途量
剪切带
¥16.2155
¥7.7631
¥6.9382
¥5.4918
查看
卷轴
¥4.4635
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 55 V 20 A 50 mOhms 20 V 1.6 V 17 nC - 55 C + 175 C 51 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8
数据表
5,000库存量
剪切带
¥16.8709
¥8.8479
¥7.1416
¥5.65
¥5.537
卷轴
¥4.4635
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 55 V 20 A 50 mOhms 20 V 1.6 V 17 nC - 55 C + 175 C 51 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel