IPG20N06S4L-11 MOSFET

结果: 3
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_)40V 60V)
数据表
8,278库存量
剪切带
¥22.1706
¥10.9158
¥9.4242
¥7.8309
查看
卷轴
¥6.8591
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 11.2 mOhms 16 V 2.2 V 41 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET N-CHANNEL_55/60V
数据表
2,079库存量
剪切带
¥21.3457
¥13.6504
¥9.266
¥7.91
查看
卷轴
¥6.3732
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 60 V 20 A 11.2 mOhms 16 V 1.2 V 53 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
数据表
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 60 V 20 A 11.2 mOhms 16 V 1.7 V 53 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel