跳到主内容

TTI Family of Specialists旗下成员联系贸泽（上海）免费电话: 400-821-6111反馈

更改位置中文¥ RMB

免费电话: 400-821-6111 更改位置

现货

RoHS

您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

看到错误？

IPI024N06N3 G

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IPI024N06N3G

制造商编号：

IPI024N06N3 G

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3

寿命周期:

停产

数据表:

IPI024N06N3 G 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

交货限制:

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	120 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	250 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	24 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	80 ns
工厂包装数量:	500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	79 ns
典型接通延迟时间:	41 ns
零件号别名:	IPI24N6N3GXK SP000451486 IPI024N06N3GHKSA1
单位重量:	2.387 g

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IPI024N06N3 G 数据表 (PDF)

EOL

Product Catalogs

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

INFINEON

OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET

先进的N沟道设备，专为高效功率开关而设计。

了解更多的信息

OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET

凭借强大的功率MOSFET技术，为OptiMOS 5提供卓越的性能。

了解更多的信息

N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET

性能针对应用而优化，可为数据中心、服务器及人工智能提供最佳性能。

了解更多的信息

OptiMOS™ 8功率MOSFET

N沟道、标准电平80V或100V MOSFET，具有非常低的导通电阻（R_DS(ON)）。

了解更多的信息

N沟道OptiMOS™ 7 80V功率MOSFET

80V N沟道标准电平设备，热阻优异，PG‑TDSON‑8封装。

了解更多的信息

供货情况

库存：: 出现意外错误。请稍候重试。