IPI029N06N MOSFET

结果: 3
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 100A I2PAK-3
数据表
369库存量
¥26.3064
¥16.9613
¥11.6616
¥9.4242
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最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.7 mOhms 20 V 2.1 V 66 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 100A I2PAK-3
数据表
376库存量
¥25.4815
¥12.656
¥11.413
¥9.0965
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最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.7 mOhms 20 V 2.1 V 66 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC
数据表
930库存量
¥30.6004
¥15.4697
¥13.9781
¥11.3339
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最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 60 V 210 A 2.4 mOhms 20 V 1.8 V 120 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube