IPI041N12N3 G

Infineon Technologies
726-IPI041N12N3G
IPI041N12N3 G

制造商：

说明：
MOSFET N-Ch 120V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
1 Channel
120 V
120 A
3.2 mOhms
20 V
2 V
211 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 21 ns
正向跨导 - 最小值: 83 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 52 ns
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 70 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
零件号别名: IPI41N12N3GXK SP000652748 IPI041N12N3GAKSA1
单位重量: 2.387 g
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已选择的属性: 0

数据表

EOL

Product Catalogs

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合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
德国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

库存量: 32

库存：
32 可立即发货
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥56.0028 ¥56.00
¥36.725 ¥367.25
¥27.5494 ¥2,754.94
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