IPI051N15N5 MOSFET

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V N/A
Si Through Hole D2PAK-3 (TO-263-3) Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 395库存量
¥66.5005
¥44.4994
¥35.821
¥30.2727
¥28.4534
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 5.1 mOhms 20 V 3.8 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 120V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3 32库存量
¥56.0028
¥36.725
¥27.5494
¥23.3232
¥21.3457
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 120 V 120 A 3.2 mOhms 20 V 2 V 211 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Tube