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IPI60R199CP MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET HIGH POWER_LEGACY IPI60R199CPXKSA2 Infineon Technologies 500: ¥13.56 无库存交货期 8 周	制造商零件编号 IPI60R199CPXKSA2 Mouser 零件编号 726-IPI60R199CPXKSA2	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_LEGACY 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolmos ce 的信息	数据表	无库存交货期 8 周	¥13.56 ¥12.5769	最低： 500 倍数： 500			Si	Through Hole	TO-262-3	N-Channel	1 Channel	650 V	16 A	199 mOhms	20 V	3 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	139 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
	MOSFET N-Ch 650V 16A I2PAK-3 CoolMOS CP IPI60R199CP Infineon Technologies 受限供货情况受限供货情况	制造商零件编号 IPI60R199CP Mouser 零件编号 726-IPI60R199CP 受限供货情况	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 650V 16A I2PAK-3 CoolMOS CP 了解更多关于Infineon Technologies infineonCoolMOS 的信息 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况			Si	SMD/SMT	TO-262-3	N-Channel	1 Channel	650 V	16 A	199 mOhms	20 V	3 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	139 W	Enhancement	CoolMOS	Tube

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