IPI80N04S4-03 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2 无库存交货期 12 周
¥22.9164
¥11.3339
¥10.17
¥8.136
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.3 mOhms 20 V 3 V 66 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 40V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T2 646库存量
¥20.1818
¥12.9837
¥8.8479
¥7.458
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 6.2 mOhms 20 V 3 V 32 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Tube