IPI80N06S4L-07 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2
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Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 6.2 mOhms 20 V 2 V 56 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFET 37库存量
¥26.3064
¥17.1195
¥11.8311
¥9.7632
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 11.3 mOhms 20 V 1.7 V 75 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q100 Tube