IPI90R500C3 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY 370库存量
¥37.0527
¥19.0292
¥17.289
¥14.8934
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 900 V 11 A 500 mOhms 20 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 900V 11A I2PAK-3 CoolMOS C3
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Si Through Hole D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 11 A 390 mOhms 20 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube