IPL60R115CFD7 MOSFET

结果: 3
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
N/A
Si Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
420库存量
剪切带
¥43.2564
¥22.4192
¥20.4304
¥18.0348
卷轴
¥16.9613
最低： 1
倍数： 1
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 115 mOhms 20 V 3.5 V 42 nC - 40 C + 150 C 124 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
1,468库存量
剪切带
¥39.4596
¥25.8883
¥19.2778
¥16.2155
¥15.0516
¥14.1476
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 140 mOhms 20 V 3.5 V 35 nC - 40 C + 150 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape