IPL65R165CFD MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY
数据表
无库存交货期 39 周
卷轴
¥17.2099
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 700 V 67 A 165 mOhms 20 V 4 V 86 nC - 40 C + 150 C 195 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
数据表
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21.3 A 149 mOhms 20 V 3.5 V 86 nC - 40 C + 150 C 195 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel