IPP020N06N MOSFET

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3 无库存交货期 16 周
¥8.2716
¥7.3902
¥6.9834
¥6.7235
最低: 500
倍数: 500
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 1.8 mOhms 20 V 2.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies IPP020N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2 mOhms 20 V 3.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3 26库存量
¥22.4983
¥10.2604
¥9.9214
¥7.8987
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 1.8 mOhms 20 V 2.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Tube