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IPP023N10N5 MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package IPP023N10N5XKSA1 Infineon Technologies 1: ¥61.7093 1,331库存量	制造商零件编号 IPP023N10N5XKSA1 Mouser 零件编号 726-IPP023N10N5XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package 了解更多关于Infineon Technologies infineon optimos 5 的信息	数据表	1,331库存量	¥61.7093 ¥41.2789 ¥33.1655 ¥29.4478 ¥26.1369	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	120 A	2.3 mOhms	20 V	3.8 V	168 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
	MOSFET N-Ch 100V 120A TO220-3 IPP023N10N5 Infineon Technologies 500: ¥29.4478 无库存交货期 52 周零件编号更改	制造商零件编号 IPP023N10N5 Mouser 零件编号 726-IPP023N10N5 零件编号更改	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 100V 120A TO220-3	数据表	无库存交货期 52 周	¥29.4478	最低： 500 倍数： 500			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	120 A	2 mOhms	20 V	2.2 V	210 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	OptiMOS	Tube

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