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RoHS

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IPP033N04NF2S MOSFET

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结果: 5

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封装 / 箱体

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET N IPP033N04NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: ¥15.3906 93库存量寿命结束	制造商零件编号 IPP033N04NF2SAKMA1 Mouser 零件编号 726-IPP033N04NF2SAKM 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET N	数据表	93库存量	¥15.3906 ¥9.6728 ¥5.4579 ¥4.5539 查看 ¥3.8759 ¥3.8081	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	40 V	113 A	3.3 mOhms	20 V	3.4 V	45 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement		Tube
	MOSFET IR FET UP TO 60V IPP044N03LF2SAKSA1 Infineon Technologies 1: ¥16.7127 2,919库存量	制造商零件编号 IPP044N03LF2SAKSA1 Mouser 零件编号 726-IPP044N03LF2SAKS	Infineon Technologies	MOSFET IR FET UP TO 60V 了解更多关于Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets 的信息	数据表	2,919库存量	¥16.7127 ¥8.023 ¥6.6783 ¥5.7969 ¥4.6556	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	30 V	53 A	4.35 mOhms	20 V	2.35 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement	StrongIRFET	Tube
	MOSFET IR FET UP TO 60V IPP033N03LF2SAKSA1 Infineon Technologies 1: ¥18.3625 1,614库存量	制造商零件编号 IPP033N03LF2SAKSA1 Mouser 零件编号 726-IPP033N03LF2SAKS	Infineon Technologies	MOSFET IR FET UP TO 60V 了解更多关于Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets 的信息	数据表	1,614库存量	¥18.3625 ¥8.9383 ¥7.9665 ¥6.3393 查看 ¥5.7743 ¥5.311	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	30 V	78 A	3.3 mOhms	20 V	2.35 V	3 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	StrongIRFET	Tube
	MOSFET IFX FET 40V IPP015N04NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: ¥28.1257 2,702库存量 9,000在途量	制造商零件编号 IPP015N04NF2SAKMA1 Mouser 零件编号 726-IPP015N04NF2SAKM	Infineon Technologies	MOSFET IFX FET 40V 了解更多关于Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets 的信息	数据表	2,702库存量 9,000在途量订单发货日期制造商编号： IPP015N04NF2SAKMA1 库存： 2,702 可立即发货在途量: 3,000 预期 2026/12/17 6,000 预期 2027/2/18 生产周期： 31 周	¥28.1257 ¥14.0572 ¥12.7351 ¥10.3395 查看 ¥10.0118 ¥9.5937	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	40 V	193 A	1.5 mOhms	20 V	3.4 V	106 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement		Tube
	MOSFET N IPP026N04NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: ¥20.3513 19库存量寿命结束	制造商零件编号 IPP026N04NF2SAKMA1 Mouser 零件编号 726-IPP026N04NF2SAKM 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET N	数据表	19库存量	¥20.3513 ¥12.9046 ¥7.5258 ¥6.441 ¥5.6274	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	40 V	121 A	2.6 mOhms	20 V	3.4 V	68 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		Tube