IPP037N06L3 MOSFET

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 2,182库存量
¥29.6964
¥14.9725
¥13.4809
¥10.17
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 3.5 mOhms 20 V 3 V 117 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 365库存量
¥75.1111
¥52.8501
¥42.7592
¥37.968
¥33.6627
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 58 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS Power-Transistor,60V 791库存量
¥18.6111
¥9.0174
¥8.0682
¥6.6783
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 84 A 2.9 mOhms 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 337库存量
¥22.5774
¥14.5544
¥9.9214
¥8.3507
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 360 mOhms 20 V 4 V 14 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3 1库存量
¥22.4192
¥14.3962
¥9.8423
¥8.2716
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 4.2 mOhms 20 V 1.2 V 50 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement OptiMOS Tube