IPP040N06N MOSFET

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 3库存量
2,000预期 2026/12/10
¥16.046
¥7.6614
¥6.7235
¥5.3336
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 4 mOhms 20 V 3.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 无库存交货期 18 周
¥5.3223
¥4.7347
¥4.3279
¥4.1584
¥4.0567
最低: 500
倍数: 500
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 3.6 mOhms 20 V 2.1 V 44 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3 456库存量
¥18.6111
¥9.6728
¥7.8083
¥7.1416
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 3.3 mOhms 20 V 2 V 98 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 69 A 4 mOhms 20 V 3.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Tube