IPP042N03L MOSFET

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3 6,390库存量
¥18.4416
¥11.7407
¥7.8761
¥6.3732
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 70 A 3.5 mOhms 20 V 1 V 18 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS-T2 208库存量
¥33.7531
¥22.0802
¥16.046
¥13.4018
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 2.3 mOhms 16 V 1 V 140 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3 456库存量
¥18.6111
¥9.6728
¥7.8083
¥7.1416
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 3.3 mOhms 20 V 2 V 98 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T2 360库存量
¥29.7755
¥19.3569
¥13.56
¥11.3339
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.3 mOhms 20 V 3 V 66 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Tube