IPP055N03L-G MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3 252库存量
¥17.1195
¥10.7576
¥7.0625
¥5.5935
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 50 A 4.6 mOhms 20 V 1 V 31 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3 312库存量
¥17.1195
¥10.7576
¥7.0625
¥5.5935
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 50 A 4.6 mOhms 20 V 1 V 31 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement OptiMOS Tube