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RoHS

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IPP075N15N3 MOSFET

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结果: 6

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封装 / 箱体

Id-连续漏极电流

Rds On-漏源导通电阻

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3 IPP075N15N3 G Infineon Technologies 1: ¥51.867 667库存量 500预期 2026/11/5	制造商零件编号 IPP075N15N3 G Mouser 零件编号 726-IPP075N15N3G	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3	数据表	667库存量 500预期 2026/11/5	¥51.867 ¥34.0017 ¥24.9843 ¥22.2497 ¥19.7637	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	150 V	100 A	6.2 mOhms	20 V	2 V	93 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
	MOSFET N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3 IPP075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥51.9461 4,716库存量	制造商零件编号 IPP075N15N3GXKSA1 Mouser 零件编号 726-IPP075N15N3GXKSA	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3	数据表	4,716库存量	¥51.9461 ¥34.0808 ¥25.5606 ¥21.6734 ¥19.7637	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	150 V	100 A	6.2 mOhms	20 V	2 V	93 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
	MOSFET IFX FET >100-150V IPI075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥48.3075 690库存量 NRND	制造商零件编号 IPI075N15N3GXKSA1 Mouser 零件编号 726-IPI075N15N3GXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFET IFX FET >100-150V	数据表	690库存量	¥48.3075 ¥25.312 ¥23.165 ¥19.6846	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-262-3	N-Channel	1 Channel	150 V	100 A	7.2 mOhms	20 V	3 V	93 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
	MOSFET IFX FET >100-150V Infineon Technologies IPP076N15N5XKSA1 IPP076N15N5XKSA1 Infineon Technologies 1: ¥45.4938 404库存量 1,500在途量	制造商零件编号 IPP076N15N5XKSA1 Mouser 零件编号 726-IPP076N15N5XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET IFX FET >100-150V 了解更多关于Infineon Technologies infineon optimos 5 的信息	数据表	404库存量 1,500在途量订单发货日期制造商编号： IPP076N15N5XKSA1 库存： 404 可立即发货在途量: 1,000 预期 2027/3/4 500 预期 2027/4/1 生产周期： 52 周	¥45.4938 ¥29.8659 ¥22.2497 ¥18.6111 查看 ¥17.2099 ¥16.1251	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	150 V	112 A	7.6 mOhms	20 V	4.6 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement		Tube
	MOSFET N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3 IPP111N15N3 G Infineon Technologies 1: ¥38.9624 708库存量	制造商零件编号 IPP111N15N3 G Mouser 零件编号 726-IPP111N15N3G	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3 了解更多关于Infineon Technologies infineon ir power mosfets 的信息	数据表	708库存量	¥38.9624 ¥25.4815 ¥19.0292 ¥15.8765 查看 ¥14.7239 ¥13.9781	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	150 V	83 A	9.4 mOhms	20 V	2 V	55 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
	MOSFET IFX FET >100-150V IPP076N15N5AKSA1 Infineon Technologies 1: ¥45.4147 无库存交货期 26 周	制造商零件编号 IPP076N15N5AKSA1 Mouser 零件编号 726-IPP076N15N5AKSA1	Infineon Technologies	MOSFET IFX FET >100-150V	数据表	无库存交货期 26 周	¥45.4147 ¥29.7755 ¥22.1706 ¥18.6111	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	150 V	112 A	5.9 mOhms	20 V	3 V	61 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement	OptiMOS	Tube