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IPP076N12N3 MOSFET

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结果: 13

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Vds-漏源极击穿电压

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	资格	商标名	封装
MOSFET N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3 IPP076N12N3 G Infineon Technologies 1: ¥31.7643 199库存量	制造商零件编号 IPP076N12N3 G Mouser 零件编号 726-IPP076N12N3GXK	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3 了解更多关于Infineon Technologies infineonOptiMOS 的信息	数据表	199库存量	¥31.7643 ¥16.046 ¥14.5544 ¥11.7407 ¥11.4921	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	120 V	100 A	7.6 mOhms	20 V	3 V	76 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement		OptiMOS	Tube
MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3 IPP041N12N3 G Infineon Technologies 1: ¥54.4321 978库存量	制造商零件编号 IPP041N12N3 G Mouser 零件编号 726-IPP041N12N3GXK	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3 了解更多关于Infineon Technologies infineonOptiMOS 的信息	数据表	978库存量	¥54.4321 ¥35.6515 ¥26.3064 ¥23.2441 ¥20.8485	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	120 V	120 A	3.5 mOhms	20 V	2 V	211 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		OptiMOS	Tube
MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3 IPP041N12N3GXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥46.895 950库存量	制造商零件编号 IPP041N12N3GXKSA1 Mouser 零件编号 726-IPP041N12N3GXKSA	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3	数据表	950库存量	¥46.895 ¥26.555 ¥23.7413 ¥20.8485	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	120 V	120 A	3.5 mOhms	20 V	2 V	211 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		OptiMOS	Tube
MOSFET N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3 IPP048N12N3 G Infineon Technologies 1: ¥47.1436 643库存量	制造商零件编号 IPP048N12N3 G Mouser 零件编号 726-IPP048N12N3GXK	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3 了解更多关于Infineon Technologies infineonOptiMOS 的信息	数据表	643库存量	¥47.1436 ¥23.7413 ¥20.0123 ¥19.1083	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	120 V	100 A	4.8 mOhms	20 V	3 V	137 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		OptiMOS	Tube
MOSFET HIGH POWER_NEW IPP65R065C7 Infineon Technologies 1: ¥75.1111 365库存量	制造商零件编号 IPP65R065C7 Mouser 零件编号 726-IPP65R065C7	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet 的信息	数据表	365库存量	¥75.1111 ¥52.8501 ¥42.7592 ¥37.968 ¥33.6627	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	33 A	58 mOhms	20 V	3 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
MOSFET IFX FET >100-150V IPP022N12NM6AKSA1 Infineon Technologies 1: ¥68.2407 1,309库存量	制造商零件编号 IPP022N12NM6AKSA1 Mouser 零件编号 726-IPP022N12NM6AKSA	Infineon Technologies	MOSFET IFX FET >100-150V	数据表	1,309库存量	¥68.2407 ¥37.968 ¥34.9057 ¥29.7755	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	120 V	203 A	2.6 mOhms	20 V	3.1 V	113 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement			Tube
MOSFET N-Ch 120V 56A TO220-3 OptiMOS 3 IPP147N12N3 G Infineon Technologies 1: ¥23.4927 1,577库存量寿命结束	制造商零件编号 IPP147N12N3 G Mouser 零件编号 726-IPP147N12N3G 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 120V 56A TO220-3 OptiMOS 3	数据表	1,577库存量	¥23.4927 ¥11.5825 ¥10.4186 ¥8.3507 查看 ¥8.0569 ¥7.91 ¥7.3902 ¥7.2998	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	120 V	56 A	14.7 mOhms	20 V	3 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement		OptiMOS	Tube
MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3 IPP032N06N3GXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥17.9444 3,390库存量 11,500在途量	制造商零件编号 IPP032N06N3GXKSA1 Mouser 零件编号 726-IPP032N06N3GXKSA	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3	数据表	3,390库存量 11,500在途量订单发货日期制造商编号： IPP032N06N3GXKSA1 库存： 3,390 可立即发货在途量: 2,000 预期 2027/2/25 5,500 预期 2027/3/11 2,000 预期 2027/3/25 2,000 预期 2027/7/15 生产周期： 39 周	¥17.9444 ¥8.6897 ¥7.7518 ¥6.1585	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	120 A	2.6 mOhms	20 V	3 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement		OptiMOS	Tube
MOSFET N-Ch 120V 75A TO220-3 OptiMOS 3 IPP114N12N3 G Infineon Technologies 1: ¥26.7132 391库存量	制造商零件编号 IPP114N12N3 G Mouser 零件编号 726-IPP114N12N3G	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 120V 75A TO220-3 OptiMOS 3	数据表	391库存量	¥26.7132 ¥13.3227 ¥11.9893 ¥9.6728 查看 ¥9.3451 ¥9.0174	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	120 V	75 A	11.4 mOhms	20 V	3 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement		OptiMOS	Tube
MOSFET N-CHANNEL 100+ IPP70N12S311AKSA1 Infineon Technologies 1: ¥37.8889 18库存量 500预期 2026/10/22 NRND	制造商零件编号 IPP70N12S311AKSA1 Mouser 零件编号 726-IPP70N12S311AKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFET N-CHANNEL 100+	数据表	18库存量 500预期 2026/10/22	¥37.8889 ¥24.8148 ¥18.532 ¥15.4697 查看 ¥14.3962 ¥13.4809	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	120 V	70 A	11.6 mOhms	20 V	3 V	65 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	AEC-Q101		Tube
MOSFET N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3 IPP320N20N3 G Infineon Technologies 1: ¥28.4534 465库存量 500预期 2026/10/21	制造商零件编号 IPP320N20N3 G Mouser 零件编号 726-IPP320N20N3GXK	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3 了解更多关于Infineon Technologies infineonOptiMOS 的信息	数据表	465库存量 500预期 2026/10/21	¥28.4534 ¥18.532 ¥12.7351 ¥10.5881 ¥9.266	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	34 A	28 mOhms	20 V	2 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement		OptiMOS	Tube
MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3 IPP041N12N3GXK Infineon Technologies 500: ¥20.679 无库存交货期 14 周	制造商零件编号 IPP041N12N3GXK Mouser 零件编号 726-IPP041N12N3GX	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3	数据表	无库存交货期 14 周	¥20.679	最低： 500 倍数： 500	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	120 V	120 A	3.5 mOhms	20 V	2 V	211 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement			Tube
MOSFET MOSFET_(120V 300V) Infineon Technologies IPP70N12S311AKSA2 IPP70N12S311AKSA2 Infineon Technologies 受限供货情况	制造商零件编号 IPP70N12S311AKSA2 Mouser 零件编号 726-IPP70N12S311AKS2	Infineon Technologies	MOSFET MOSFET_(120V 300V) Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	120 V	70 A	11.3 mOhms	20 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement			Tube

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