IPP076N15N5 MOSFET

结果: 3
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
数据表
N/A
Si Through Hole TO-220-3 Tube
Infineon Technologies IPP076N15N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
数据表
404库存量
1,500在途量
¥45.4938
¥29.8659
¥22.2497
¥18.6111
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最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 112 A 7.6 mOhms 20 V 4.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
数据表
无库存交货期 26 周
¥45.4147
¥29.7755
¥22.1706
¥18.6111
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 112 A 5.9 mOhms 20 V 3 V 61 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Tube