IPP086N10N3 G

Infineon Technologies
726-IPP086N10N3G
IPP086N10N3 G

制造商:

说明:
MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
80 A
8.2 mOhms
20 V
3 V
55 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 42 ns
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 31 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
零件号别名: SP000680840 IPP86N1N3GXK IPP086N10N3GXKSA1
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
马来西亚
发货时,国家/地区可能会发生变化。

库存量: 607

库存:
607 可立即发货
生产周期:
8 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥25.2329 ¥25.23
¥12.4865 ¥124.87
¥11.2548 ¥1,125.48
¥9.0174 ¥4,508.70
¥8.7688 ¥8,768.80
¥8.5993 ¥21,498.25
¥8.1699 ¥40,849.50