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RoHS

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IPP093N06N3 MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET OptiMOS Power-Transistor,60V Infineon Technologies IPP029N06NXKSA1 IPP029N06NXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥18.6111 791库存量	制造商零件编号 IPP029N06NXKSA1 Mouser 零件编号 726-IPP029N06NXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS Power-Transistor,60V 了解更多关于Infineon Technologies infineon optimos 5 的信息	数据表	791库存量	¥18.6111 ¥9.0174 ¥8.0682 ¥6.6783 查看 ¥6.1811 ¥5.9664 ¥5.7969 ¥5.537	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	84 A	2.9 mOhms	20 V	3.3 V	56 nC	- 55 C	+ 175 C	38 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
	MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3 IPP032N06N3GXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥17.9444 3,390库存量 11,500在途量	制造商零件编号 IPP032N06N3GXKSA1 Mouser 零件编号 726-IPP032N06N3GXKSA	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3	数据表	3,390库存量 11,500在途量订单发货日期制造商编号： IPP032N06N3GXKSA1 库存： 3,390 可立即发货在途量: 2,000 预期 2027/2/25 5,500 预期 2027/3/11 2,000 预期 2027/3/25 2,000 预期 2027/7/15 生产周期： 39 周	¥17.9444 ¥8.6897 ¥7.7518 ¥6.1585	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	120 A	2.6 mOhms	20 V	3 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
	MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3 IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥18.6111 456库存量寿命结束	制造商零件编号 IPP040N06N3GXKSA1 Mouser 零件编号 726-IPP040N06N3GXKSA 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3	数据表	456库存量	¥18.6111 ¥9.6728 ¥7.8083 ¥7.1416 查看 ¥6.9947 ¥6.7461 ¥6.4862	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	90 A	3.3 mOhms	20 V	2 V	98 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
	MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3 IPP052N06L3 G Infineon Technologies 1: ¥22.4192 1库存量寿命结束	制造商零件编号 IPP052N06L3 G Mouser 零件编号 726-IPP052N06L3G 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3	数据表	1库存量	¥22.4192 ¥14.3962 ¥9.8423 ¥8.2716 查看 ¥7.345 ¥6.9495 ¥6.6331	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	80 A	4.2 mOhms	20 V	1.2 V	50 nC	- 55 C	+ 175 C	115 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
	MOSFET IFX FET 60V Infineon Technologies IPP040N06NXKSA1 IPP040N06NXKSA1 Infineon Technologies 受限供货情况	制造商零件编号 IPP040N06NXKSA1 Mouser 零件编号 726-IPP040N06NXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET IFX FET 60V 了解更多关于Infineon Technologies infineon optimos 5 的信息 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	69 A	4 mOhms	20 V	3.3 V	38 nC	- 55 C	+ 175 C	36 W	Enhancement		Tube
	MOSFET IFX FET 60V Infineon Technologies IPP020N06NXKSA1 IPP020N06NXKSA1 Infineon Technologies 受限供货情况	制造商零件编号 IPP020N06NXKSA1 Mouser 零件编号 726-IPP020N06NXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET IFX FET 60V 了解更多关于Infineon Technologies infineon optimos 5 的信息 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	120 A	2 mOhms	20 V	3.3 V	106 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement		Tube