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RoHS

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IPP110N20N3 MOSFET

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结果: 6

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Vds-漏源极击穿电压

Id-连续漏极电流

Rds On-漏源导通电阻

Vgs th-栅源极阈值电压

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	资格	商标名	封装
	MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3 IPP110N20N3 G Infineon Technologies 1: ¥49.8782 1,790库存量 1,000预期 2026/10/22	制造商零件编号 IPP110N20N3 G Mouser 零件编号 726-IPP110N20N3G	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3 了解更多关于Infineon Technologies infineon nchannel optimos 的信息	数据表	1,790库存量 1,000预期 2026/10/22	¥49.8782 ¥32.6683 ¥24.3967 ¥20.3513 查看 ¥17.8653 报价	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	88 A	9.9 mOhms	20 V	2 V	87 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		OptiMOS	Tube
	MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3 IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥44.9175 3,371库存量	制造商零件编号 IPP110N20N3GXKSA1 Mouser 零件编号 726-IPP110N20N3GXKSA	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3	数据表	3,371库存量	¥44.9175 ¥23.4136 ¥19.5264 ¥18.4416 ¥17.8653	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	88 A	9.9 mOhms	20 V	2 V	87 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		OptiMOS	Tube
	MOSFET N-CHANNEL 100+ IPP70N12S311AKSA1 Infineon Technologies 1: ¥37.8889 18库存量 500预期 2026/10/22 NRND	制造商零件编号 IPP70N12S311AKSA1 Mouser 零件编号 726-IPP70N12S311AKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFET N-CHANNEL 100+	数据表	18库存量 500预期 2026/10/22	¥37.8889 ¥24.8148 ¥18.532 ¥15.4697 查看 ¥14.3962 ¥13.4809	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	120 V	70 A	11.6 mOhms	20 V	3 V	65 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	AEC-Q101		Tube
	MOSFET N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3 IPP111N15N3 G Infineon Technologies 1: ¥38.9624 708库存量	制造商零件编号 IPP111N15N3 G Mouser 零件编号 726-IPP111N15N3G	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3 了解更多关于Infineon Technologies infineon ir power mosfets 的信息	数据表	708库存量	¥38.9624 ¥25.4815 ¥19.0292 ¥15.8765 查看 ¥14.7239 ¥13.9781	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	150 V	83 A	9.4 mOhms	20 V	2 V	55 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement		OptiMOS	Tube
	MOSFET N-CHANNEL 100+ IPP120N10S403AKSA1 Infineon Technologies 1: ¥60.4663 508库存量寿命结束	制造商零件编号 IPP120N10S403AKSA1 Mouser 零件编号 726-IPP120N10S403AKS 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET N-CHANNEL 100+	数据表	508库存量	¥60.4663 ¥39.6178 ¥29.1992 ¥25.8883 ¥23.165	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	120 A	3.5 mOhms	20 V	2.7 V	108 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	AEC-Q101		Tube
	MOSFET MOSFET_(75V 120V( Infineon Technologies IPP100N10S305AKSA2 IPP100N10S305AKSA2 Infineon Technologies 受限供货情况	制造商零件编号 IPP100N10S305AKSA2 Mouser 零件编号 726-IPP100N10S305AK2	Infineon Technologies	MOSFET MOSFET_(75V 120V( 了解更多关于Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet 的信息 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	100 A	4.8 mOhms	20 V	4 V	135 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement			Tube