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RoHS

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IPP50R190CE MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET N-Ch 500V 18.5A TO220-3 IPP50R190CE Infineon Technologies 1: ¥24.069 无库存交货期 12 周	制造商零件编号 IPP50R190CE Mouser 零件编号 726-IPP50R190CE	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 500V 18.5A TO220-3 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolmos ce 的信息	数据表	无库存交货期 12 周	¥24.069 ¥15.5488 ¥10.6672 ¥8.5993 查看 ¥8.0569 ¥7.7744 ¥7.5258	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	24.8 A	190 mOhms	20 V	2.5 V	47.2 nC	- 55 C	+ 150 C	152 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
	MOSFET N-Ch 500V 18.5A TO220-3 IPP50R190CEXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥23.9899 1,460库存量	制造商零件编号 IPP50R190CEXKSA1 Mouser 零件编号 726-IPP50R190CEXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 500V 18.5A TO220-3 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolmos ce 的信息	数据表	1,460库存量	¥23.9899 ¥11.8311 ¥10.6672 ¥8.5993 查看 ¥7.8874 ¥7.6275	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	24.8 A	170 mOhms	20 V	2.5 V	47.2 nC	- 55 C	+ 150 C	152 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
	MOSFET N-Ch 500V 23A TO220-3 IPP50R140CPXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥42.0247 35库存量寿命结束	制造商零件编号 IPP50R140CPXKSA1 Mouser 零件编号 726-IPP50R140CPXKSA1 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 500V 23A TO220-3	数据表	35库存量	¥42.0247 ¥27.5494 ¥21.0971 ¥19.8541 查看 ¥19.436 ¥18.532 ¥16.9613	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	23 A	140 mOhms	20 V	3.5 V	48 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
	MOSFET N-Ch 560V 21A TO220-3 SPP21N50C3XKSA1 Infineon Technologies 1: ¥39.211 182库存量寿命结束	制造商零件编号 SPP21N50C3XKSA1 Mouser 零件编号 726-SPP21N50C3XKSA1 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 560V 21A TO220-3	数据表	182库存量	¥39.211 ¥20.1818 ¥18.3625 ¥15.0516 ¥14.7239	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	21 A	190 mOhms	20 V	2.1 V	95 nC	- 55 C	+ 150 C	208 W	Enhancement	CoolMOS	Tube