IPP60R099CP MOSFET

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP
500预期 2027/2/4
¥67.7435
¥47.7312
¥39.3692
¥33.335
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms 20 V 2.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP 17库存量
¥67.3254
¥41.1094
¥33.4141
¥30.3518
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms 20 V 2.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch 830库存量
¥94.5471
¥52.8501
¥52.3642
¥47.1436
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 92 mOhms 25 V 2 V 84 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube