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IPP60R160P6 MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET HIGH POWER_LEGACY IPP60R160P6 Infineon Technologies 1: ¥32.1711 500预期 2027/6/3	制造商零件编号 IPP60R160P6 Mouser 零件编号 726-IPP60R160P6	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_LEGACY 了解更多关于Infineon Technologies infineonCoolMOS 的信息	数据表	500预期 2027/6/3	¥32.1711 ¥21.0067 ¥15.3002 ¥12.7351 查看 ¥11.8311 ¥11.0853	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	23.8 A	144 mOhms	20 V	3.5 V	44 nC	- 55 C	+ 150 C	176 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
	MOSFET HIGH POWER_LEGACY IPP60R160P6XKSA1 Infineon Technologies 1: ¥31.8434 无库存交货期 19 周	制造商零件编号 IPP60R160P6XKSA1 Mouser 零件编号 726-IPP60R160P6XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_LEGACY 了解更多关于Infineon Technologies infineonCoolMOS 的信息	数据表	无库存交货期 19 周	¥31.8434 ¥16.1251 ¥14.5544 ¥11.8311 ¥11.6616	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	23.8 A	144 mOhms	20 V	3.5 V	44 nC	- 55 C	+ 150 C	176 W	Enhancement	CoolMOS	Tube

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