IPP60R160P7 MOSFET

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
N/A
Si Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
998预期 2026/12/10
¥29.5269
¥15.142
¥13.4018
¥11.0062
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最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 160 mOhms 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement CoolMOS Tube