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IPP60R165CP MOSFET

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
MOSFET N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP IPP60R165CP Infineon Technologies 1: ¥44.9175 353库存量 NRND	制造商零件编号 IPP60R165CP Mouser 零件编号 726-IPP60R165CP NRND	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolmos ce 的信息	数据表	353库存量	¥44.9175 ¥29.4478 ¥21.922 ¥18.2834 查看 ¥17.0404 ¥15.9669	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	21 A	150 mOhms	20 V	2.5 V	52 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
MOSFET N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP IPP60R165CPXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥41.1094 284库存量 NRND	制造商零件编号 IPP60R165CPXKSA1 Mouser 零件编号 726-IPP60R165CPXKSA1 NRND	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolmos ce 的信息	数据表	284库存量	¥41.1094 ¥22.2497 ¥20.2609 ¥16.7918	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	21 A	150 mOhms	20 V	2.5 V	52 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II STP24NM60N STMicroelectronics 1: ¥37.6403 621库存量	制造商零件编号 STP24NM60N Mouser 零件编号 511-STP24NM60N	STMicroelectronics	MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II 了解更多关于STMicroelectronics stm standard products 的信息	数据表	621库存量	¥37.6403 ¥19.436 ¥17.6167 ¥14.9725 查看 ¥14.3962 ¥13.899 报价	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	17 A	168 mOhms	30 V	3 V	46 nC	- 55 C	+ 150 C	120 W	Enhancement	MDmesh	Tube

IPP60R165CP MOSFET

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