IPP60R180C7 MOSFET

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW N/A
Si Through Hole TO-220-3 Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 850库存量
¥32.2615
¥16.3737
¥14.803
¥11.9893
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 155 mOhms 20 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 24.3A TO220-3 119库存量
¥52.1947
¥42.3524
¥33.6627
¥21.2553
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24.3 A 160 mOhms 20 V 3.9 V 104.9 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement CoolMOS Tube