.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

IPP60R250CP MOSFET

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

结果: 2

已应用过滤器:

制造商

Id-连续漏极电流

Rds On-漏源导通电阻

Vgs - 栅极-源极电压

Vgs th-栅源极阈值电压

Pd-功率耗散

商标名

重置所有

在结果中搜索

库存量

正常库存

在售

新产品

符合RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET N-Ch 600V 12A TO220-3 CoolMOS CP IPP60R250CP Infineon Technologies 受限供货情况停产	制造商零件编号 IPP60R250CP Mouser 零件编号 726-IPP60R250CP 停产	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 600V 12A TO220-3 CoolMOS CP Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	220 mOhms	20 V	2.5 V	35 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
	MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh STP18NM60N STMicroelectronics 1: ¥31.3462 2,000预期 2027/5/28	制造商零件编号 STP18NM60N Mouser 零件编号 511-STP18NM60N	STMicroelectronics	MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh 了解更多关于STMicroelectronics stmicro mdmesh 的信息	数据表	2,000预期 2027/5/28	¥31.3462 ¥16.046 ¥13.4809 ¥11.7407 ¥11.6616	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	13 A	260 mOhms	25 V	2 V	35 nC	- 55 C	+ 150 C	110 W	Enhancement	MDmesh	Tube

IPP60R250CP MOSFET

已应用过滤器:

昴氏(上海)电子贸易有限公司

公司

资源

支持