IPP60R280E6 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 13.8A TO220-3 CoolMOS E6
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 250 mOhms 20 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement CoolMOS Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh 587库存量
¥44.6689
¥23.2441
¥21.1762
¥17.7862
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 200 mOhms 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Tube