IPP60R280P7 MOSFET

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW N/A
Si Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 28库存量
500预期 2026/11/26
¥22.9955
¥13.2323
¥10.17
¥8.1699
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 15A TO220-3 257库存量
¥41.6857
¥32.0129
¥26.4646
¥25.7301
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 280 mOhms 20 V 3.9 V 63 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO220-3 322库存量
¥26.216
¥16.8709
¥11.5825
¥9.4242
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 252 mOhms 20 V 3.5 V 25.5 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement CoolMOS Tube