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RoHS

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IPP65R110CFD MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	资格	商标名	封装
	MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO220-3 CoolMOS CFD2 IPP65R110CFD Infineon Technologies 1: ¥62.1161 429库存量寿命结束	制造商零件编号 IPP65R110CFD Mouser 零件编号 726-IPP65R110CFD 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO220-3 CoolMOS CFD2	数据表	429库存量	¥62.1161 ¥40.6913 ¥30.0241 ¥26.555 ¥23.8204	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	31.2 A	110 mOhms	20 V	3 V	118 nC	- 55 C	+ 150 C	277.8 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
	MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO220-3 IPP65R110CFDAAKSA1 Infineon Technologies 1: ¥64.1049 1,942库存量	制造商零件编号 IPP65R110CFDAAKSA1 Mouser 零件编号 726-IPP65R110CFDAAKS	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO220-3 了解更多关于Infineon Technologies infineonCoolMOS 的信息	数据表	1,942库存量	¥64.1049 ¥42.9287 ¥34.4876 ¥30.6004 查看 ¥29.2783 ¥27.459	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	31.2 A	110 mOhms	20 V	3 V	118 nC	- 40 C	+ 150 C	277.8 W	Enhancement	AEC-Q100	CoolMOS	Tube
	MOSFET HIGH POWER_LEGACY IPP65R110CFDXKSA2 Infineon Technologies 1: ¥55.6638 无库存交货期 21 周	制造商零件编号 IPP65R110CFDXKSA2 Mouser 零件编号 726-IPP65R110CFDXKSA	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_LEGACY	数据表	无库存交货期 21 周	¥55.6638 ¥29.6173 ¥27.0522 ¥23.8204	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	31.2 A	110 mOhms	20 V	3.5 V	118 nC	- 55 C	+ 150 C	277.8 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPP65R110CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: ¥49.1324 519库存量寿命结束	制造商零件编号 IPP65R110CFD7XKSA1 Mouser 零件编号 726-P65R110CFD7XKSA1 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW	数据表	519库存量	¥49.1324 ¥32.1711 ¥23.9899 ¥20.0123 查看 ¥18.6111 ¥17.6167	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	22 A	110 mOhms	20 V	4.5 V	41 nC	- 40 C	+ 150 C	114 W	Enhancement			Tube