IPP65R125C7 MOSFET

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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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数据表
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 111 mOhms 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
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¥24.7357
¥22.4983
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 111 mOhms 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Tube