.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

IPP65R190C7 MOSFET

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

结果: 2

在结果中搜索

库存量

正常库存

在售

新产品

符合RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPP65R190C7 Infineon Technologies 1: ¥29.6964 225库存量寿命结束	制造商零件编号 IPP65R190C7 Mouser 零件编号 726-IPP65R190C7 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW	数据表	225库存量	¥29.6964 ¥19.3569 ¥13.56 ¥11.3339 查看 ¥10.509 ¥9.8423	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	13 A	168 mOhms	20 V	3 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	72 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPP65R190C7FKSA1 Infineon Technologies 1: ¥28.4534 12库存量寿命结束	制造商零件编号 IPP65R190C7FKSA1 Mouser 零件编号 726-IPP65R190C7FKSA1 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW	数据表	12库存量	¥28.4534 ¥17.6167 ¥16.5432 ¥16.1251 查看 ¥15.7974 ¥15.3906	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	13 A	168 mOhms	20 V	3 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	72 W	Enhancement	CoolMOS	Tube

IPP65R190C7 MOSFET

昴氏(上海)电子贸易有限公司

公司

资源

支持