IPP65R190CFD MOSFET

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS 848库存量
¥35.821
¥18.2834
¥17.9444
¥14.9725
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 190 mOhms 20 V 4.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 77 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY 无库存交货期 23 周
¥34.4085
¥18.0348
¥16.2946
¥13.2323
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.5 A 190 mOhms 20 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 151 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO220-3 CoolMOS CFD2
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.5 A 190 mOhms 30 V 4 V 68 nC - 55 C + 150 C 151 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 159库存量
¥35.482
¥24.4871
¥18.3625
¥11.2548
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 190 mOhms 20 V 4.5 V 23 nC - 40 C + 150 C 63 W Enhancement Tube