IPP65R310CFD MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY 无库存交货期 8 周
¥28.1257
¥14.2267
¥12.656
¥9.5146
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 11.4 A 310 mOhms 20 V 4 V 41 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220-3 CoolMOS CFD2
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11.4 A 280 mOhms 20 V 3.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 104.2 W Enhancement CoolMOS Tube