IPS65R1K0CE MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER N/A
Si TO-251-3 Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 4.3A IPAK-3 446库存量
¥11.2548
¥5.7178
¥3.8872
¥3.1414
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4.3 A 1 Ohms 20 V 2.5 V 15.3 nC - 40 C + 150 C 37 W Enhancement Tube