IPS80R1K4P7 MOSFET

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon / IR MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
N/A
Si Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
434库存量
¥14.3962
¥9.5937
¥7.3111
¥5.2771
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最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.4 Ohms 30 V 3 V 10 nC - 50 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube