IPT60R028G7 MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
N/A
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 75 A 28 mOhms 20 V 3 V 123 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW
数据表
1,350库存量
2,000在途量
剪切带
¥158.4034
¥100.6604
¥100.4118
¥94.9539
¥89.9141
卷轴
¥89.9141
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最低： 1
倍数： 1
: 2,000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 75 A 28 mOhms 20 V 3 V 123 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel