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IPU80R900P7 MOSFET

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
MOSFET LOW POWER_NEW IPU80R900P7 Infineon Technologies	制造商零件编号 IPU80R900P7 Mouser 零件编号未分配	Infineon Technologies	MOSFET LOW POWER_NEW	数据表	N/A		无库存，请致电询价	Si																Tube
MOSFET LOW POWER_NEW IPU80R900P7AKMA1 Infineon Technologies 1: ¥16.7918 1,411库存量	制造商零件编号 IPU80R900P7AKMA1 Mouser 零件编号 726-IPU80R900P7AKMA1	Infineon Technologies	MOSFET LOW POWER_NEW 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets 的信息	数据表	1,411库存量	¥16.7918 ¥7.5258 ¥6.7574 ¥5.6613 查看 ¥5.2545 ¥5.2432 ¥4.8025	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	900 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
MOSFET LOW POWER_NEW IPU80R1K4P7AKMA1 Infineon Technologies 1: ¥13.56 1,215库存量寿命结束	制造商零件编号 IPU80R1K4P7AKMA1 Mouser 零件编号 726-IPU80R1K4P7AKMA1 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET LOW POWER_NEW	数据表	1,215库存量	¥13.56 ¥10.4186 ¥10.2604 ¥8.0456 查看 ¥6.8817 ¥6.0342 ¥5.7743 ¥5.7065 报价	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	800 V	4 A	1.4 Ohms	30 V	3 V	10 nC	- 50 C	+ 150 C	32 W	Enhancement	CoolMOS	Tube

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