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IPW60R041P6 MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM IPW60R041P6 Infineon Technologies 1: ¥94.5471 439库存量	制造商零件编号 IPW60R041P6 Mouser 零件编号 726-IPW60R041P6	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM 了解更多关于Infineon Technologies infineonCoolMOS 的信息	数据表	439库存量	¥94.5471 ¥66.8395 ¥55.7542 ¥49.5505 ¥46.9854	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	77.5 A	37 mOhms	20 V	3.5 V	170 nC	- 55 C	+ 150 C	481 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
	MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM IPW60R041P6FKSA1 Infineon Technologies 1: ¥94.7957 1,883库存量	制造商零件编号 IPW60R041P6FKSA1 Mouser 零件编号 726-IPW60R041P6FKSA1	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM 了解更多关于Infineon Technologies infineonCoolMOS 的信息	数据表	1,883库存量	¥94.7957 ¥60.8844 ¥55.7542 ¥48.9629 ¥46.9854	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	77.5 A	37 mOhms	20 V	3.5 V	170 nC	- 55 C	+ 150 C	481 W	Enhancement	CoolMOS	Tube

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