IPW60R045CP MOSFET

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP 928库存量
¥154.923
¥117.9494
¥98.3439
¥87.5185
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 40 mOhms 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 431 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA 468库存量
¥141.1935
¥90.6599
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 45 mOhms 20 V 3 V 190 nC - 40 C + 150 C 431 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP 3,782库存量
¥143.7586
¥82.9646
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 40 mOhms 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 431 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP 无库存交货期 8 周
¥98.2648
¥87.5185
¥81.8007
最低: 240
倍数: 240
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 40 mOhms 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 431 W Enhancement CoolMOS Tube