IPW60R070P6 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM 181库存量
¥58.7261
¥39.2901
¥31.5948
¥28.0353
¥24.9843
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 53.5 A 63 mOhms 20 V 3.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM 5库存量
1,920在途量
¥59.89
¥31.2671
¥28.6229
¥26.3064
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 53.5 A 63 mOhms 20 V 3.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement CoolMOS Tube