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IPW60R125CFD7 MOSFET

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	封装
MOSFET HIGH POWER_NEW IPW60R125CFD7 Infineon Technologies	制造商零件编号 IPW60R125CFD7 Mouser 零件编号未分配	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW	数据表	N/A		无库存，请致电询价	Si															Tube
MOSFET HIGH POWER_NEW IPW60R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: ¥48.2284 214库存量	制造商零件编号 IPW60R125CFD7XKSA1 Mouser 零件编号 726-IPW60R125CFD7XKS	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW 了解更多关于Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets 的信息	数据表	214库存量	¥48.2284 ¥24.6453 ¥22.4983 ¥19.6055	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	125 mOhms	20 V	3.5 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	92 W	Enhancement	Tube
MOSFET HIGH POWER_NEW IPW60R145CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: ¥41.5275 15库存量寿命结束	制造商零件编号 IPW60R145CFD7XKSA1 Mouser 零件编号 726-IPW60R145CFD7XKS 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW	数据表	15库存量	¥41.5275 ¥32.2615 ¥29.5269 ¥27.9562 查看 ¥27.459 ¥27.0522 报价	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	16 A	145 mOhms	20 V	3.5 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	Tube

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