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RoHS

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IPW60R180P7 MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPW60R180P7 Infineon Technologies	制造商零件编号 IPW60R180P7 Mouser 零件编号未分配	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW	数据表	N/A		无库存，请致电询价			Si																Tube
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPW60R180P7XKSA1 Infineon Technologies 1: ¥34.3294 14,905库存量 60,490在途量	制造商零件编号 IPW60R180P7XKSA1 Mouser 零件编号 726-IPW60R180P7XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets 的信息	数据表	14,905库存量 60,490在途量订单发货日期制造商编号： IPW60R180P7XKSA1 库存： 14,905 可立即发货在途量: 17,290 预期 2026/11/2 43,200 预期 2027/7/15 生产周期： 17 周	¥34.3294 ¥16.9613 ¥15.4697 ¥12.8255 ¥12.7351	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	145 mOhms	20 V	3 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	72 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
	MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6 IPW60R190E6 Infineon Technologies 1: ¥42.2733 3库存量寿命结束	制造商零件编号 IPW60R190E6 Mouser 零件编号 726-IPW60R190E6 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6	数据表	3库存量	¥42.2733 ¥27.7076 ¥20.679 ¥17.289 查看 ¥16.046 ¥15.0516	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20.2 A	170 mOhms	20 V	2.5 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	151 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
	MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS CFD SPW20N60CFD Infineon Technologies 1: ¥59.1442 200库存量寿命结束	制造商零件编号 SPW20N60CFD Mouser 零件编号 726-SPW20N60CFD 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS CFD	数据表	200库存量	¥59.1442 ¥38.7138 ¥28.5325 ¥23.8204 查看 ¥22.7469 ¥22.6678	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	20.7 A	220 mOhms	20 V	5 V	95 nC	- 55 C	+ 150 C	208 W	Enhancement	CoolMOS	Tube