IPW65R037C6 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6 157库存量
¥134.8316
¥102.7283
¥85.6088
¥76.1846
¥71.7098
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 83.2 A 33 mOhms 20 V 2.5 V 330 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6 无库存交货期 15 周
¥147.5667
¥107.5308
¥80.3204
¥80.23
¥77.7553
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 83.2 A 33 mOhms 20 V 2.5 V 330 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement CoolMOS Tube