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IPW65R048CFDA MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	资格	商标名	封装
	MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3 IPW65R048CFDA Infineon Technologies 1: ¥97.1913 178库存量	制造商零件编号 IPW65R048CFDA Mouser 零件编号 726-IPW65R048CFDA	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3 了解更多关于Infineon Technologies infineonCoolMOS 的信息	数据表	178库存量	¥97.1913 ¥70.3086 ¥58.647 ¥52.1947 ¥49.381	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	63.3 A	43 mOhms	20 V	3.5 V	270 nC	- 40 C	+ 150 C	500 W	Enhancement	AEC-Q100	CoolMOS	Tube
	MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3 IPW65R048CFDAFKSA1 Infineon Technologies 1: ¥96.5246 240预期 2027/5/20	制造商零件编号 IPW65R048CFDAFKSA1 Mouser 零件编号 726-IPW65R048CFDAFKS	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3 了解更多关于Infineon Technologies infineonCoolMOS 的信息	数据表	240预期 2027/5/20	¥96.5246 ¥52.9405 ¥49.381	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	63.3 A	43 mOhms	20 V	3.5 V	270 nC	- 40 C	+ 150 C	500 W	Enhancement	AEC-Q100	CoolMOS	Tube

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